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MOS管重要特性

發布時間:2024-10-18來源: 聯冀電子閱讀:321

MOS管重要特性


1、導通特性


導通的意義是作為開關,相當于開關閉合。NMOS的特性,VGS大于一定的值就會導通,適用于源極接地時的情況(低端驅動),只需柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性是,VGS小于一定的值就會導通,適用于源極接VCC時的情況(高端驅動)。


2、損失特性


不管是NMOS還是PMOS,導通后都有導通電阻存在,電流就會被電阻消耗能量,這部分消耗的能量叫做導通損耗。小功率MOS管導通電阻一般在幾毫歐至幾十毫歐左右,選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。


MOS管在進行導通和截止時,兩端的電壓有一個降落過程,流過的電流有一個上升的過程,在這段時間內,MOS管的損失是電壓和電流的乘積,這稱之為開關損失。通常開關損失比導通損失大得多,而且開關頻率越快,損失也越大。


導通瞬間電壓和電流的乘積越大,構成的損失也就越大。縮短開關時間,可以減小每次導通時的損失;降低開關頻率,可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。


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