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NCE新潔能產(chǎn)品以高性能、高可靠性為核心競(jìng)爭(zhēng)力,廣泛應(yīng)用于新能源、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域。以下從技術(shù)特性、應(yīng)用場(chǎng)景,剖析其半導(dǎo)體元器件的核心特點(diǎn)。
一、技術(shù)特性
1、超結(jié)MOSFET技術(shù)
新潔能的超結(jié)結(jié)構(gòu)MOSFET通過(guò)優(yōu)化電荷平衡原理,顯著降低導(dǎo)通電阻(RDS(on))與開關(guān)損耗。該技術(shù)通過(guò)縱向摻雜梯度控制,實(shí)現(xiàn)耐壓600V以上同時(shí)保持低導(dǎo)通損耗,效率較傳統(tǒng)平面MOSFET提升15%-20%。
2、IGBT模塊的第五代場(chǎng)截止工藝
采用薄晶圓與場(chǎng)截止層設(shè)計(jì),NCE的IGBT產(chǎn)品在1200V耐壓下兼具低飽和壓降(VCE(sat)≤1.8V)和快速開關(guān)特性(關(guān)斷時(shí)間<200ns)。其溫度系數(shù)負(fù)反饋特性可避免電流集中,提升并聯(lián)穩(wěn)定性,特別適合電動(dòng)汽車電機(jī)控制等大電流場(chǎng)景。
3、第三代SiC器件突破
碳化硅(SiC)肖特基二極管和MOSFET是NCE新潔能技術(shù)亮點(diǎn),以NCE的SIC肖特基二極管為例,反向恢復(fù)時(shí)間近乎為零(<20ns),反向耐壓達(dá)1700V,高溫下漏電流比硅基器件低兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
二、應(yīng)用場(chǎng)景
1、新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)
新潔能的IGBT模塊已通過(guò)AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證,集成自舉二極管與溫度傳感功能,支持-40℃~175℃寬溫工作。在OBC(車載充電機(jī))中,其SiC器件可實(shí)現(xiàn)22kW高功率密度設(shè)計(jì),體積較硅方案縮小40%。
2、光伏與儲(chǔ)能逆變
針對(duì)組串式逆變器,NCE的TO-247封裝MOSFET支持150℃結(jié)溫運(yùn)行,MPPT追蹤效率達(dá)99.9%。其三相全橋拓?fù)浞桨竿ㄟ^(guò)動(dòng)態(tài)均流技術(shù),將逆變器THD(總諧波失真)控制在3%以下。
3、工業(yè)變頻與伺服驅(qū)動(dòng)
在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,NCE的IPM(智能功率模塊)集成6路IGBT與驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,短路耐受能力達(dá)10μs以上。其內(nèi)置的欠壓鎖定(UVLO)和過(guò)溫報(bào)警(OTP)功能,可降低外圍電路復(fù)雜度30%。
NCE新潔能半導(dǎo)體元器件的核心優(yōu)勢(shì)在于:以材料創(chuàng)新和結(jié)構(gòu)優(yōu)化為基礎(chǔ),結(jié)合本土化快速服務(wù)能力,在新能源革命與工業(yè)升級(jí)浪潮中持續(xù)占據(jù)技術(shù)制高點(diǎn)。其產(chǎn)品譜系從消費(fèi)級(jí)到工業(yè)級(jí)全覆蓋,尤其在高效率、高功率密度場(chǎng)景構(gòu)建了差異化競(jìng)爭(zhēng)力。隨著第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能的釋放,在高壓快充、軌道交通等領(lǐng)域?qū)⒏鼜V泛應(yīng)用。